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深圳创维半导体设计大厦

项目时间 | 2012

项目地点 | 中国深圳

项目场地位于深圳南山科技园高新区,总占地面积为17025.5平方米,其中建筑占地面积为5581.80平方米。四周交通便利北临高新南三道,南靠高新南四道,东分别临科技南八路及科技南十路。四周均为各知名企业。